摘要：:三星電子,GAA架構,半導體芯【手機中國新聞】據(jù)外媒報道，三星公布，在位于韓國華城的工場開始了3nm半導體芯片的初期出產。與利用FinFET的上一代芯片差異，三星利用了GAA (Gate All Around)晶體管架構，大大提高了
【手機中國新聞】據(jù)外媒報道，三星公布，在位于韓國華城的工場開始了3nm半導體芯片的初期出產。與利用FinFET的上一代芯片差異，三星利用了GAA (Gate All Around)晶體管架構，大大提高了功率。
半導體芯片
三星電子的3nm芯片回收了MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) GAA架構，通過低落電源電壓和加強驅動電流本領，能有效提高功率。而且，三星還在高機能智妙手機處理懲罰器的半導體芯片中也利用過納米片晶體管。與納米線技能對比，擁有更寬通道的納米片具有更高的機能和效率。三星電子的客戶可以通過調解納米片的寬度，來定制本身需要的功耗和機能指標。
三星工場外部
為了輔佐芯片客戶和相助同伴設計更好的芯片，并驗證他們的想法需求，三星代工提供了一個不變的設計情況。通過SAFE(三星先進代工生態(tài)系統(tǒng))相助同伴，如Ansys、Cadence、西門子和Synopsys，客戶可以淘汰芯片設計、驗證和核準進程所需的時間，并提高產物的靠得住性。
三星電子總裁兼代工認真人Siyoung Choi博士暗示:“三星電子將把下一代技能應用于制造業(yè)方面，并繼承揭示出領先職位。我們將在競爭性技能開拓方面繼承努力創(chuàng)新，成立有助于加速技能成熟度的流程。”
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