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中芯國際7nm制程工藝取得突破 首款芯片成功流片!

2020-10-12 19:25 作者:安卓在線 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 瀏覽:

摘要::中芯國際,7nm制程,7nm工藝【手機(jī)中國新聞】據(jù)《珠海特區(qū)報》報道,日前,IP和定制芯片企業(yè)芯動科技完玉成球首個基于中芯國際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測試,所有IP全自主國產(chǎn),成果一次測試通過。這也

  【手機(jī)中國新聞】據(jù)《珠海特區(qū)報》報道,日前,IP和定制芯片企業(yè)芯動科技完玉成球首個基于中芯國際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測試,所有IP全自主國產(chǎn),成果一次測試通過。這也意味著中芯國際在7nm制程工藝上取得打破。

《珠海特區(qū)報》報道
《珠海特區(qū)報》報道

  調(diào)查者網(wǎng)援引中科院半導(dǎo)體所專業(yè)人士先容,樂成“流片”指在嘗試室獲得機(jī)能到達(dá)指標(biāo)的器件,而要實(shí)現(xiàn)真正量產(chǎn),還需要在器件靠得住性、退化機(jī)制等方面獲得大量的數(shù)據(jù)支持和重復(fù)檢討。

  手機(jī)中國獲悉,中芯國際FinFET N+1先進(jìn)工藝在功率和不變性方面與7nm制程工藝很是相似,且不需要光刻機(jī)。該工藝和中芯國際現(xiàn)有的14nm工藝對比,機(jī)能晉升了20%,功耗低落了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積淘汰了55%。不外其機(jī)能晉升依然不足,因此主要面向低功耗應(yīng)用規(guī)模。

中芯國際
中芯國際

  中芯國際此前證實(shí)遭遇美國出口限制,并暗示正在評估該事件對公司策劃造成的影響。相關(guān)通告顯示,美國向中芯國際出口的部門美國設(shè)備、配件及原物料會受到美國出口管束劃定的進(jìn)一步限制,須事前申請出口許可證后才氣向中芯國際繼承供貨。在這樣的配景下,中芯國際7nm制程工藝取得打破一事就顯自得義不凡了。



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